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石英坩埚对晶体中的氧含量有何影响?
- 2019-10-08-

  石英坩埚对晶体中的氧含量的影响。

  1.单晶中氧的首要来源

  因为直拉单晶硅的生长需要利用高纯石英坩埚,虽然坩埚的熔点要高于硅料的熔点,但是在高温进程中,熔融的液态硅会腐蚀坩埚,然后导致少量的氧进入晶体内部。在硅的熔点(1420℃)附近,溶硅与坩埚效果,生成SIO进入硅溶体。然后通过机械对流、热对流等方式使SIO传输到熔体外表,因而到达硅熔体外表的SIO以气体方式蒸发,而剩余的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形态存在于液体硅中,zui终进入晶体内,然后影响单晶的氧含量。

  2.坩埚阻挠氧含量开释的办法。

  氧首要来源于石英坩埚,因而如何zui大限度下降坩埚中氧的开释则是单晶下降氧含量的重要手段,而石英坩埚品质的好坏直接关系到放含量的开释程度。坩埚中氧的开释进程实际上就是坩埚气泡层穿透通明层向硅液中开释氧的进程,而在坩埚内层烧结一层3-5mm左右的通明层,然后既保证了坩埚内外表的纯度,又不致于使坩埚软化点过低。

  因而,坩埚通明层的质量好坏决定了坩埚气泡的开释程度。另一方面,现在的坩埚都是在坩埚内外表用氢氧化钡进行涂层,其目的就是削减硅液对坩埚的腐蚀程度,因而,氢氧化钡的纯度很大程度上影响着坩埚内外表所生成的钡离子结晶层的好坏。然后影响着坩埚内氧含量的开释。

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